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底杂质浓度1×1015cm－3，求（1）栅源电压VGS＝－7V时， MOS管的漏源饱和电流；（2）在上述条件下，当VDS等于多 少时沟道夹断？ 答：
已知某硅NPN缓变基区晶体管的基区宽度WB＝0.5微米，基区 少子扩散系数DB＝20cm2s-1，基区自建场因子η ＝10，试计 算该晶体管的基区渡越时刻τ b。
2、某高频晶体管的β＝50，当信号频率f为30MHz时测 得其βω ＝5。试求： （1）该晶体管的特征频率fT。
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